本篇目录：
- 1、...说明什么是施主杂质,施主杂质电离过程和n型半导体
- 2、施主杂质和受主杂质怎么定义的?
- 3、半导体中掺入施主杂质,杂质电离对价带电子会有影响吗
- 4、什么是施主杂质和受主杂质?什么是施主能级和受主能级
- 5、关于杂质半导体的问题
- 6、以as掺入ge为例,说明什么事施主杂质
...说明什么是施主杂质,施主杂质电离过程和n型半导体
所谓施主杂质就是掺入杂质能够提供导电电子而改变半导体的导电性能。例如，半导体锗和硅中的五价元素砷、锑、磷等原子都是施主杂质。如果在某一半导体的杂质总量中，施主杂质的数量占多数，则这种半导体就是n型半导体。
N型半导体：掺杂元素： N型半导体通常是由硅等半导体材料与五价元素（如磷、砷等）的掺杂形成的。这些五价元素称为“杂质”或“受主”。
形成原因不同 在半导体中掺入施主杂质，就得到N型半导体；施主杂质：周期表第V族中的某种元素，例如砷或锑。在半导体中掺入受主杂质，就得到P型半导体；受主杂质：周期表中第Ⅲ族中的一种元素，例如硼或铟。
施主杂质：为了控制半导体的性质可以人为地掺入某种化学元素的原子，掺入杂质元素与半导体材料价电子的不同而产生的多余价电子会挣脱束缚，成为导电的自由电子，杂质电离后形成正电中心，称这些掺入的元素为施主杂质。
施主杂质和受主杂质怎么定义的?
半导体物理中的杂质指的是半导体内部的除半导体本身原子意外的其他原子。所谓施主受主，指的是半导体内部杂质原子的核外电子最外层电子数多于4还是少于4。因为原子核最外层电子数目为4时最稳定。
是相对于硅、锗等四价（四个价电子）元素而言的，譬如向纯净的硅晶体中掺入五价元素如磷，当一个磷原子取代一个硅原子的位置后，会多出一个价电子（相当于施舍一个电子），此时掺入的磷被称为施主杂质。
在半导体中掺入施主杂质，就得到N型半导体；施主杂质：周期表第V族中的某种元素，例如砷或锑。在半导体中掺入受主杂质，就得到P型半导体；受主杂质：周期表中第Ⅲ族中的一种元素，例如硼或铟。
半导体中掺入施主杂质,杂质电离对价带电子会有影响吗
1、不能向导带和价带提供电子和空穴，称为杂质的高度补偿。杂质能级的补偿作用 杂质补偿：半导体中存在施主杂质和受主杂质时，它们底共同作用会使载流子减少，这种作用称为杂质补偿。
2、半导体中的杂质对电导率的影响非常大，本征半导体经过掺杂就形成杂质半导体，一般可分为N型半导体和P型半导体。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产生附加的杂质能级。
3、施主杂质：为了控制半导体的性质可以人为地掺入某种化学元素的原子，掺入杂质元素与半导体材料价电子的不同而产生的多余价电子会挣脱束缚，成为导电的自由电子，杂质电离后形成正电中心，称这些掺入的元素为施主杂质。
4、半导体掺杂，即杂质半导体，半导体掺杂掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能也就越强。掺杂物依照其带给被掺杂材料的电荷正负被区分为施主（donor）与受主（acceptor）。
什么是施主杂质和受主杂质?什么是施主能级和受主能级
受主杂质，当杂质原子的大小与被取代的晶格原子的大小相近，并且价电子壳层结构相似时，杂质原子可以接受来自其他原子的电子，形成受主能级，从而产生正电中心。
所谓施主受主，指的是半导体内部杂质原子的核外电子最外层电子数多于4还是少于4。因为原子核最外层电子数目为4时最稳定。
是相对于硅、锗等四价（四个价电子）元素而言的，譬如向纯净的硅晶体中掺入五价元素如磷，当一个磷原子取代一个硅原子的位置后，会多出一个价电子（相当于施舍一个电子），此时掺入的磷被称为施主杂质。
相应的能提供空穴载流子的杂质称为受主杂质，相应能级称为受主能级，位于禁带下方靠近价带顶附近。
磷原子由于可以释放1个电子而被称为施主原子，又称施主杂质。在本征半导体中每掺入1个磷原子就可产生1个自由电子，而本征激发产生的空穴的数目不变。
按照杂质在半导体材料中的行为可分为施主杂质、受主杂质和电中性杂质。按照杂质电离能的大小可分为浅能级杂质和深能级杂质。浅能级杂质对半导体材料导电性质影响大，而深能级杂质对少数载流子的复合影响更显著。
关于杂质半导体的问题
1、对于n型半导体，其中的电子是多数载流子，但是这些电子主要是来自于施主杂质原子的电离。
2、杂质补偿：半导体中存在施主杂质和受主杂质时，它们底共同作用会使载流子减少，这种作用称为杂质补偿。在制造半导体器件底过程中，通过采用杂质补偿底方法来改变半导体某个区域底导电类型或电阻率。
3、杂质半导体的多数载流子浓度主要由施主、受主杂质浓度以及温度等因素决定。施主与受主杂质浓度 杂质半导体中的施主杂质可以向半导体晶体中掺入电子，形成多余电子，称为n型半导体。
4、杂质半导体的载流子浓度主要由杂质浓度和温度决定。在杂质半导体中，掺杂杂质原子会引入额外的电子或空穴，从而增加半导体的导电性。杂质浓度越高，引入的载流子数量也就越多，因此杂质浓度是影响载流子浓度的重要因素之一。
5、在半导体中掺入施主杂质，可以增加半导体的自由电子浓度。当施主杂质被电离时，会产生一个空穴和一个自由电子。这个自由电子将填补价带上的缺陷，并且在光照下可能会激发成为光生载流子。
以as掺入ge为例,说明什么事施主杂质
是相对于硅、锗等四价（四个价电子）元素而言的，譬如向纯净的硅晶体中掺入五价元素如磷，当一个磷原子取代一个硅原子的位置后，会多出一个价电子（相当于施舍一个电子），此时掺入的磷被称为施主杂质。
施主杂质：为了控制半导体的性质可以人为地掺入某种化学元素的原子，掺入杂质元素与半导体材料价电子的不同而产生的多余价电子会挣脱束缚，成为导电的自由电子，杂质电离后形成正电中心，称这些掺入的元素为施主杂质。
磷原子由于可以释放1个电子而被称为施主原子，又称施主杂质。在本征半导体中每掺入1个磷原子就可产生1个自由电子，而本征激发产生的空穴的数目不变。
施主（donor）是指半导体中以贡献出电子方式形成电子电导的一种杂质。完全纯的半导体（称本征半导体）在室温下是不导电的。要使半导体导电，需要有意识地在纯半导体中掺一些杂质。
砷是施主。砷，俗称砒，元素符号As，是一种非金属元素，在化学元素周期表中位于第4周期、第VA族，原子序数33，单质以灰砷、黑砷和黄砷这三种同素异形体的形式存在。
到此，以上就是小编对于施主杂质电离能的问题就介绍到这了，希望介绍的几点解答对大家有用，有任何问题和不懂的，欢迎各位老师在评论区讨论，给我留言。
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