区熔硅单晶过程（半导体区熔单晶硅片）-义乌市趣迅电子商务商行

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方法则是在流化床反应器中混合冶金级硅和氯化氢气体，最后得到沸点仅有31°C的三氯化硅。

单晶硅的生产工艺：石材加工一开始是石头(所有石头都含硅)。这块石头被加热后变成了液态。加热后变成气态，气体通过一个密封的大盒子。盒子里有N多个加热的子晶体，两端用石墨夹住。

它的制备主要是在电弧炉中用碳还原石英砂而成。这样被还原出来的硅的纯度约98-99%，但半导体工业用硅还必须进行高度提纯。电子级硅的杂质含量约(10^-10)%以下。

主要有两种方法：直拉法（Cz法）、区熔法（FZ法）；1）直拉法其优点是晶体被拉出液面不与器壁接触，不受容器限制，因此晶体中应力小，同时又能防止器壁沾污或接触所可能引起的杂乱晶核而形成多晶。

生产工艺流程具体介绍如下：切片：将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。

硅片的制作通常包括以下主要工艺流程：单晶硅生长：通过化学气相沉积（CVD）或单晶硅浮区法等方法，在高温下将硅材料以单晶形式生长出来。这一步骤产生的单晶硅块被称为硅锭。

：生产流程是：晶棒切割-晶柱成型-R角表面处理-粗洗，干燥-等这些流程都是有设备完成的，而且也是主要流程。还有剩下的流程就是：粘附固定-硅片插入盒里，硅片检测-硅片包装等等。

单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于制作半导体元件。

开炉取棒清扫热场装料抽空检漏（好的单晶炉还会有压力化这个步骤，为的是让炉体压力达到拉晶的压力条件下）化料稳温引晶放肩转肩等径收尾停炉，w完整的流程还包括神马单晶送检之类的流程。

Czochralski process，也称为柴氏长晶法），此种方法因成本较低而被广泛采用，除此之外，还有V-布里奇曼法（Vertikalern Bridgman process）和浮动区法（floating zone process）都可以用来制造单晶硅。

最后用物理方法——区域熔融法——来进一步提纯，得到高纯度得硅。

二氧化硅制备单晶硅需要做到以下四点：先与焦炭在高温下反应生成粗硅。粗硅与氯气反应生成四氯化硅。蒸馏分离得到纯净的四氯化硅。最后四氯化硅被氢气还原成硅单质。

制作单晶硅（电脑等精密仪器使用）时，由此方法（SiCl4+2H2=高温=Si+4HCl）而粗硅是用焦炭还原二氧化硅（SiO2+2C=高温=Si+2CO↑）。

高纯度硅在石英中提取，以单晶硅为例，提炼要经过以下过程：石英砂一冶金级硅一提纯和精炼一沉积多晶硅锭一单晶硅一硅片切割。冶金级硅的提炼并不难。它的制备主要是在电弧炉中用碳还原石英砂而成。

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