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热溶血试验简介
冷热溶血试验又称D-L试验，是测定双相溶血素的试验。阵发性寒冷性血红蛋白尿症（PCH）患者血清中有双相溶血素，为IgG，在20℃以下(0～4℃)时溶血素与红细胞膜上的P抗原结合，并吸附补体，但不溶血。
一般进行3 种试验：第一是改良Coombs 试验，这是用“最适稀释度”的抗人球蛋白的血清查出附着在患儿红细胞上的抗体；第二是抗体释放试验，这是用加热的方法，使患儿红细胞上的抗体释放出来，再检查释放液中的抗体。
③冷-热溶血试验。阵发性冷性血红蛋白尿症患者的血清中有一种依赖补体的自身双相溶血素(属IgG)，在0～4℃时，此溶血素与红细胞结合，并吸附补体，但不溶血。若升温至30～37℃即发生溶血。正常值：阴性。
此三项均为红细胞破坏的直接证据；④重复作ABO血型鉴定，必要时分别于低温、室温和体温下重复作交叉配血试验，并做Rh血型鉴定；⑤对受血者的红细胞做直接抗人体球蛋白试验。
简介 人血浆的等渗溶液为0.9%NaCl溶液，红细胞在低于0.45%NaCl溶液中，因水渗入，红细胞膨胀而破裂，血红蛋白逸出。
红细胞检查、全血细胞计数、血液检查、不稳定性血红蛋白试验、异常红细胞形态检查、cd5cd59检测、溶血试验、间接胆红素、糖化血红蛋白、新生儿溶血症筛查、骨髓象分析、血常规。
标本溶血的控制及对检验结果的影响
1、对于ELISA方法的影响， 有研究认为HIV抗体检测实验中，溶血可造成约75%的标本出现假阳性。
2、对HCV及HBsAg结果的影响 溶血后后可显著增加抗HCV及HBsAg的OD值.造成假阳性的检测结果。
3、血细胞中浓度远高于血清浓度：血细胞中高浓度物质溢出，测定结果偏高。如K、CK、LDH、AST等，轻度溶血即可有很大影响。血细胞中浓度低于血清浓度：此时溶血相当于血清稀释而结果偏低。如血糖、r-GT等。
4、溶血还可造成乙型肝炎病毒表面抗原假阳性的检测结果。
5、避免融化后引起溶血；血液放置时间不宜过长，防止消毒液或其他物质滴入标本，溶血将影响检验结果；在条件允许的情况下，溶血标本应要求重新采集，以便提高检验结果的准确性。
溶血反应是什么?
是溶血反应，一般指红细胞膜破坏，或出现多数小孔，或由于极度伸展致使血红蛋白从红细胞流出的反应。红细胞膜破坏，致使血红蛋白从红细胞流出的反应。常见于 输血反应及中毒。严重者可导致 死亡。
免疫溶血反应是补体参与的抗体致敏红细胞的溶解反应。参与反应的成分有3种：①红细胞，一般用绵羊红细胞(SRBC)；②抗红细胞抗体，也称溶血素，多为家兔抗SRBC的抗血清；③补体。
溶血可分为急性溶血和慢性溶血，急性溶血发病急、患者病情较重，可表现为寒战、高热、腰痛、血红蛋白尿、肾衰、休克等。而慢性溶血发病缓慢，患者病情相对较轻，常表现为乏力、黄疸、胆石症、脾脏肿大等。
溶血（反应） hemolysis一般指红细胞膜破坏，或出现多数小孔，或由于极度伸展致使血红蛋白从红细胞流出的反应。红细胞游离液随着溶血的同时透明度增加，呈深红色。
溶血反应是输血后红细胞破坏所引起的最严重的一种输血反应。常见为血型不合引起的溶血。典型症状是在输血10~20毫升后，病人即诉头部胀痛、面部潮红、恶心呕吐、心浅区压迫感和腰背部剧烈疼痛，并可出现荨麻疹。
溶血性输血反应是输血后红细胞受到破坏而引起的一系列反应，有急性溶血性输血反应和迟发型溶血性输血反应之分。原因 （1）免疫性溶血反应：ABO血型不合：抗体为IgM抗体，为天然完全抗体，主要是血管内溶血。
试述自身免疫性溶血性贫血的实验室诊断步骤。
1、遗传性椭圆形红细胞增多症特点是外周血中出现大量椭圆形，卵圆形或棒状红细胞，其中以椭圆形红细胞为主，一般可高达50%～90%，渗透脆性试验增高。
2、考点：自身免疫性溶血性贫血的实验室检查。[解析]自身免疫性溶血性贫血时，抗人球蛋白试验阳性；白血病、再生障碍性贫血、巨幼细胞性贫血、缺铁性贫血时，抗人球蛋白试验均阴性。
3、【直接抗人球蛋白试验】 可采用多价或各种单价的抗人球蛋白来做本试验。温抗体性AlHA患者多价直接抗人球蛋白试验(DAT)大多阳性。
4、如红细胞形态检查，LD、间接胆红素、尿胆原升高和网织红细胞增加等。④如Coombs试验阴性，但临床表现符合，激素或切脾有效，可诊断为Coombs试验阴性的自身免疫性溶血性贫血。
d试验的原理
B-D测试设计原理是使试验包成为消毒锅内残留空气的聚焦点，因为热蒸汽进入柜内时，它相对较大的体积和可透气性布料极易吸附、“捕捉”残留空气。
【答案】：试验原理：用一定的压力P将直径为D的淬火钢球或硬质合金球压入试样表面，保持规定的时间后卸除压力，于是在试件表面留下压痕（压痕的直径和深度分别为d和h）。布氏硬度用单位压痕表面积A上所承受的平均压力表示。
静电放电试验(ESD)是指将一个物体带电，然后将其移动到另一个物体上，这样就会在两个物体之间形成静电放电.这种试验主要用于测试电子元器件对静电放电的敏感性。
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